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光刻機是芯片制造核心設備，對制程升級發(fā)揮關(guān)鍵作用

在芯片制造過程中，光刻工藝是最關(guān)鍵的一步，能夠?qū)D案從光掩模高精度地轉(zhuǎn)移到襯底（通常是硅片）上。芯片工藝升級的主要目標之一是在半導體器件上實現(xiàn)更小的特征尺寸，具有先進技術(shù)的光刻機，如極紫外（EUV）光刻，允許更短的光波長，從而能夠創(chuàng)建更小的圖案并實現(xiàn)更高的分辨率，對芯片制程升級發(fā)揮關(guān)鍵作用。DUV光刻機通過多重曝光最高實現(xiàn)7nm制程，而波長更短的EUV光刻機可以實現(xiàn)5nm及以下制程。

asml光刻機

全球光刻機市場超過200億美元，ASML壟斷高端市場：

2022年全球光刻機市場超過200億美元，ASML、Canon、Nikon三大巨頭壟斷了大部分市場份額，光刻機營收分別達到了161億美元、20億美元、15億美元，市場份額分別為82%、10%、8%。在超高端的EUV光刻機上，基本上ASML處于壟斷地位。

國產(chǎn)28nmimmersion式光刻機實現(xiàn)突破：

國產(chǎn)光刻機在技術(shù)節(jié)點上與國際廠商相比仍有差距，其中上海微電子是國內(nèi)光刻機龍頭企業(yè)，其SSX600系列光刻機可滿足IC前道制造90nm、110nm、280nm關(guān)鍵層和非關(guān)鍵層的光刻工藝需求，可用于8寸線或12寸線的大規(guī)模工業(yè)生產(chǎn)。在之前90nm的基礎(chǔ)上，上海微電子即將量產(chǎn)28nmimmersion式光刻機，在2023年交付國產(chǎn)第一臺SSA/800-10W光刻機設備。

SMEE國產(chǎn)光刻機

國內(nèi)廠商在多個光刻機零部件環(huán)節(jié)實現(xiàn)突破：

全球光刻機零部件市場規(guī)模約124億美元，在零部件市場上，國內(nèi)廠商已經(jīng)在多個環(huán)節(jié)實現(xiàn)突破。茂萊光學研發(fā)的DUV光學透鏡已應用于SMEE國產(chǎn)光刻機中，公司半導體檢測設備光學模組供貨KLA，公司投影鏡分辨率達到30nm以下，而國外的ZEISS分辨率小于0.25nm；目前針對EUV光源，國內(nèi)也有研究機構(gòu)取得一定進展。早在2017年，中國科學院長春光學精密機械與物理研究所的“極紫外光刻關(guān)鍵技術(shù)研究”獲得國家02專項的驗收，從而推進了我國對EUV的技術(shù)研發(fā)；福光股份有望為光刻機等領(lǐng)域提供高精密光學鏡頭及光學系統(tǒng)；蘇大維格向SMEE提供定位光柵部件，公司光柵尺周期精度小于1nm，且公司納米壓印技術(shù)國內(nèi)領(lǐng)先；而光學晶體方面，福晶科技可供貨LBO晶體、BBO晶體、Nd:YVO4晶體、磁光晶體；激光器方面，炬光科技提供的光源不均勻度控制在1%以下，國外FLSBA的光源不均勻度在3%~5%；晶方科技子公司控制的Anteryon為全球同時擁有混合鏡頭、晶圓級微型光學器件工藝技術(shù)設計、特性材料及量產(chǎn)能力的技術(shù)創(chuàng)新公司，其產(chǎn)品可廣泛應用于半導體精密設備，目前為ASML持續(xù)供貨。奧普光電為國內(nèi)高端光柵編碼器龍頭，公司光柵編碼器（用于測量對準精度）精度為1um/m，國外海德漢公司精準度為3um/m。